Paneles Solares Fotovoltaicos
13.1 Composición del Panel Fotovoltaico
Un módulo fotovoltaico está compuesto por múltiples células conectadas entre sí en serie y paralelo, encapsuladas en una estructura "sándwich" protectora. La composición estándar incluye:
- ✓ Vidrio templado (3-4 mm): Bajo contenido en plomo para máxima transmisividad
- ✓ EVA superior: Encapsulante Etileno-Vinilo-Acetato
- ✓ Células fotovoltaicas: Silicio monocristalino o policristalino
- ✓ EVA inferior: Segunda capa encapsulante
- ✓ Tedlar: Cubierta posterior protectora
- ✓ Marco de aluminio anodizado: Con agujeros de fijación
- ✓ Caja de conexiones: Con diodos by-pass y cables homologados
- ✓ Junta de silicona: Estanqueidad entre marco y módulo
13.2 Tipos de Células Fotovoltaicas
| Tipo | Estructura | Eficiencia | Color | Forma |
|---|---|---|---|---|
| Monocristalina | Cristal único (Czochralski) | 15-18% | Azul uniforme/negro | Circular u octogonal |
| Policristalina | Múltiples cristales | 12-15% | Azul con tonos | Cuadrada/rectangular |
| Amorfa | Sin estructura cristalina | 7-10% | Marrón-rojizo | Flexible |
| Capa fina CIGS | Cobre, Indio, Galio, Selenio | 14-16.5% | Negro uniforme | Flexible |
| Capa fina CdTe | Telururo de Cadmio | 10% | Negro | Rígido |
| Multiunión | Capas múltiples (GaAs, Ge, GaInP2) | 37-43% | Especializado | Concentración |
13.3 Proceso de Fabricación Monocristalino
El método Czochralski (Cz) es el más común para silicio monocristalino:
- ✓ Fusión: Silicio ultra puro (99.999%) con boro (1 ppm) a 1400°C
- ✓ Cristalización: Semilla de cristal germen giratoria
- ✓ Crecimiento: Átomos se ordenan en 3 direcciones perpendiculares
- ✓ Corte: Cilindro cortado en obleas de 0.3 mm (pérdida hasta 70%)
- ✓ Tratamiento químico: Restauración superficial del corte
- ✓ Dopado: Hornos 800-1000°C con atmósfera de fósforo
- ✓ Capa antirreflectante: Mayor aprovechamiento de radiación
- ✓ Contactos óhmicos: Metalización para conexión
- ✓ Caracterización: Medida de propiedades espectrales
13.4 Características Eléctricas del Panel
| Parámetro | Símbolo | Definición | Unidad |
|---|---|---|---|
| Potencia Máxima | Pmax o Pp | Máxima potencia en CEM (Vmax × Imax) | Vatios pico (Wp) |
| Tensión Vacío | Voc | Máxima tensión sin carga (I=0) | Voltios (V) |
| Intensidad Cortocircuito | Icc o Isc | Máxima intensidad con cortocircuito (V=0) | Amperios (A) |
| Tensión Máxima Potencia | Vmax o Vp | Tensión en punto máxima potencia | Voltios (V) |
| Intensidad Máxima | Imax o Ip | Intensidad en punto máxima potencia | Amperios (A) |
| Tensión Nominal | Vn | Tensión de trabajo del panel | Voltios (V) |
- Irradiancia: GCEM = 1000 W/m²
- Temperatura: tº = 25°C
- Distribución espectral: AM (Air Mass) = 1.5
Factor de Forma (FF):
FF = Pm/(Isc×Voc) = Vmax×Imax/(Isc×Voc)
Valor típico: 0.7
Eficiencia:
μ(%) = Pu/Pa = Pu/(S×GCEM)
Donde Pu = Potencia útil, Pa = Potencia absorbida, S = Superficie
13.5 Efecto de la Irradiancia
La intensidad que cede el panel es directamente proporcional a la irradiancia recibida. Por el contrario, el valor de tensión apenas es afectado. Con esto podemos deducir que el hecho de tener tensión en el panel no significa que tengamos potencia, ya que la intensidad de salida puede ser muy baja.
13.6 Efecto de la Temperatura
La temperatura afecta a la tensión del panel. En paneles de silicio, el voltaje disminuye a razón de 2.3×10⁻³ voltios por célula y grado centígrado que se incremente la temperatura por encima de los 25°C. De la misma manera, la intensidad aumenta 15×10⁻⁶ A por cada cm² de área circular y por cada grado centígrado por encima de los 25°C.
Hablando de potencia, disminuye el 0.5% por cada grado de aumento de la temperatura de la célula por encima de los 25°C.
Tt = Ta + k × I
Donde:
Tt = Temperatura de trabajo del panel
Ta = Máxima temperatura ambiente
k = Coeficiente (0.02°C·m²/W si hay viento; 0.04°C·m²/W si viento pobre)
I = Irradiancia solar (W/m²)
Máxima potencia de salida:
Pt = Pp - (Pp × δ × ΔT)
Donde:
Pt = Potencia a temperatura de trabajo
Pp = Potencia pico (a 25°C)
δ = Coeficiente de degradación (%/°C)
ΔT = Incremento sobre 25°C
13.7 Diodos en Paneles
Los diodos son elementos de protección que se utilizan para evitar que la corriente continua de los paneles cambie de sentido. Su interior está compuesto de silicio y el concepto es el mismo que el de los paneles fotovoltaicos.
Los diodos en los paneles evitan el llamado "punto caliente", son los llamados by-pass (de paso), protegen a los módulos individuales del daño que puede ocurrir por el efecto del sombreado parcial en los paneles. Un panel sombreado se convierte en un receptor al generar menos tensión que otros, esto hace que la energía de los demás paneles se descarguen en él y se caliente hasta el punto de destruirlo. Los diodos evitan esto haciendo que esa corriente pase de largo y no se vuelque en el panel.
En paneles de cierta potencia suele haber dos y hasta tres diodos en serie, dividiendo el panel en dos partes para no anularlo completamente y ofrecer mejor protección.
Estos diodos deben emplearse siempre en módulos cuyas conexiones de célula están en serie, especialmente en tensiones iguales o superiores a 24 Vdc.
Existe otro tipo de conexión de los diodos en una instalación fotovoltaica, son los llamados de bloqueo. Se conectan entre el panel y la batería en una instalación aislada de red para evitar que se descargue en ellos cuando generan menos tensión en días nublados o de noche. Se une el cátodo o negativo del diodo con el positivo de la batería y el ánodo o positivo del diodo con el positivo del panel. Se instalan en el regulador y normalmente vienen de fábrica.
13.8 Número de Células según Aplicación
| Aplicación | Nº Células Serie | Tensión Panel |
|---|---|---|
| Baterías 12V | 30, 33, 36 o 40 | ~18-22V (ideal 40) |
| Baterías 24V | 72 u 80 | ~36-44V |
| Bombeo solar | 60, 72 u 80 | Multicristalinos/tándem |
| Motores 220V III | 600 células totales | ~300V |
| Motores 380/400V III | 1200 células totales | ~600V |
13.9 Asociación de Paneles
Conexión en serie: Es la unión del polo positivo de un panel con el polo negativo de otro panel distinto, de esta manera se sumarán en los otros dos extremos sus tensiones y potencias permaneciendo la intensidad de uno solo.
Conexión en paralelo: Es la unión de los polos negativos de todos los paneles por un lado y la unión de los polos positivos de todos los paneles por otro, de esta forma se sumarán sus intensidades y potencias permaneciendo la tensión de uno solo.
Este tipo de conexiones se suele realizar en cajas estancas. En algunos casos se pueden realizar en las cajas de conexión de un panel (no aconsejable). Existen conectores homologados donde se pueden unir dos paneles en paralelo.
Conexión mixta: Es la unión de paneles en serie y en paralelo (ramal).
13.10 Orientación e Inclinación
Orientación: Azimut - hacia el sur en el hemisferio norte (α=0º) y hacia el norte en el hemisferio sur.
Inclinación: depende de la latitud y del tipo de consumo:
- ✓ Uso permanente: β = Latitud + 10º (interesa maximizar la radiación en los meses de invierno o menor insolación)
- ✓ Menos consumo en meses de baja radiación: β = Latitud (interesa es maximizar la radiación de los equinoccios)
- ✓ Uso verano: β = Latitud - 10º. Regadío de Marzo a Septiembre suele ser: β = Latitud - 20º
En general la inclinación debe superar 15º para desplazar lluvia y suciedad pero hay que tener en cuenta otros factores como el coste de la estructura.
13.11 Irradiación Solar
Para medir la irradiación solar usamos la hora solar pico (HSP), se define como el tiempo en horas de una hipotética irradiación solar constante de 1000 W/m².
1 HSP = 3,6 MJ/m² = 1 kWh/m²
Según uso:
- Uso permanente: HSP desfavorable (Dic/Ene)
- Riego verano: HSP media meses riego
PVGIS: Para hacerlo de manera más precisa, usaremos PVGIS, obtener el ángulo de inclinación óptimo haciendo la media de los meses de riego y luego diseñar el sistema para las HSP del mes más desfavorable:
http://re.jrc.ec.europa.eu/pvgis/apps4/pvest.php
13.12 Pérdidas por Orientación e Inclinación
| Tipo Instalación | Orientación e Inclinación | Sombras | Total |
|---|---|---|---|
| General | 10% | 10% | 15% |
| Superposición | 20% | 15% | 30% |
| Integración arquitectónica | 40% | 20% | 50% |
13.13 Distancia entre Filas
1. Inclinación óptima:
βopt = 35º - (41º - latitud)
2. Altura del panel:
h = sen(βopt) × L
Donde L = longitud del panel
3. Altura total:
hT = h + h'
Donde h' = 30 cm (mínimo al suelo)
4. Distancia entre filas:
d = hT / tang(67º - latitud)
13.14 Superficie Necesaria
Anchura del soporte:
a = cos(φ) × L
Espacio entre filas:
d = hT / tang(67º - latitud)
Longitud instalada total:
LT = (a + d) × Nºr - d
Anchura total:
aT = (ap + 10) × Nºp/r
Donde ap = anchura del panel
Superficie total:
ST = LT × aT
13.1 Composition du Panneau Photovoltaïque
Un module photovoltaïque est composé de multiples cellules connectées entre elles en série et parallèle, encapsulées dans une structure "sandwich" protectrice. La composition standard comprend:
- ✓ Verre trempé (3-4 mm): Faible teneur en plomb pour maximale transmissivité
- ✓ EVA supérieur: Encapsulant Éthylène-Vinyle-Acétate
- ✓ Cellules photovoltaïques: Silicium monocristallin ou polycristallin
- ✓ EVA inférieur: Seconde couche encapsulante
- ✓ Tedlar: Couverture postérieure protectrice
- ✓ Cadre en aluminium anodisé: Avec trous de fixation
- ✓ Boîte de connexions: Avec diodes by-pass et câbles homologués
- ✓ Joint en silicone: Étanchéité entre cadre et module
13.2 Types de Cellules Photovoltaïques
| Type | Structure | Efficacité | Couleur | Forme |
|---|---|---|---|---|
| Monocristallin | Cristal unique (Czochralski) | 15-18% | Bleu uniforme/noir | Circulaire ou octogonal |
| Polycristallin | Multiple cristaux | 12-15% | Bleu avec tons | Carrée/rectangulaire |
| Amorphe | Sans structure cristalline | 7-10% | Brun-rougeâtre | Flexible |
| Couche mince CIGS | Cuivre, Indium, Gallium, Sélénium | 14-16.5% | Noir uniforme | Flexible |
| Couche mince CdTe | Tellurure de Cadmium | 10% | Noir | Rigide |
| Multi-jonction | Couches multiples (GaAs, Ge, GaInP2) | 37-43% | Spécialisé | Concentration |
13.3 Processus de Fabrication Monocristallin
La méthode Czochralski (Cz) est la plus commune pour le silicium monocristallin:
- ✓ Fusion: Silicium ultra pur (99.999%) avec bore (1 ppm) à 1400°C
- ✓ Cristallisation: Graine de cristal germe tournante
- ✓ Croissance: Atomes s'ordonnent en 3 directions perpendiculaires
- ✓ Coupe: Cylindre coupé en tranches de 0.3 mm (perte jusqu'à 70%)
- ✓ Traitement chimique: Restauration superficielle de la coupe
- ✓ Dopage: Fours 800-1000°C avec atmosphère de phosphore
- ✓ Couche antireflet: Plus grand profit de radiation
- ✓ Contacts ohmiques: Métallisation pour connexion
- ✓ Caractérisation: Mesure de propriétés spectrales
13.4 Caractéristiques Électriques du Panneau
| Paramètre | Symbole | Définition | Unité |
|---|---|---|---|
| Puissance Maximale | Pmax ou Pp | Maximale puissance en CEM (Vmax × Imax) | Watts crête (Wp) |
| Tension Vide | Voc | Maximale tension sans charge (I=0) | Volt (V) |
| Intensité Court-circuit | Icc ou Isc | Maximale intensité avec court-circuit (V=0) | Ampère (A) |
| Tension Maximale Puissance | Vmax ou Vp | Tension en point maximale puissance | Volt (V) |
| Intensité Maximale | Imax ou Ip | Intensité en point maximale puissance | Ampère (A) |
| Tension Nominale | Vn | Tension de travail du panneau | Volt (V) |
- Irradiance: GCEM = 1000 W/m²
- Température: tº = 25°C
- Distribution spectrale: AM (Air Mass) = 1.5
Facteur de Forme (FF):
FF = Pm/(Isc×Voc) = Vmax×Imax/(Isc×Voc)
Valeur typique: 0.7
Efficacité:
μ(%) = Pu/Pa = Pu/(S×GCEM)
Où Pu = Puissance utile, Pa = Puissance absorbée, S = Surface
13.5 Effet de l'Irradiance
L'intensité que cède le panneau est directement proportionnelle à l'irradiance reçue. Par contre, la valeur de tension à peine est affectée. Avec cela nous pouvons déduire que le fait d'avoir tension dans le panneau ne signifie pas que nous ayons puissance, puisque l'intensité de sortie peut être très basse.
13.6 Effet de la Température
La température affecte à la tension du panneau. Dans les panneaux de silicium, le voltage diminue à raison de 2.3×10⁻³ volts par cellule et degré centigrade qui s'incrémente la température au-dessus des 25°C. De la même manière, l'intensité augmente 15×10⁻⁶ A par chaque cm² de surface circulaire et par chaque degré centigrade au-dessus des 25°C.
En parlant de puissance, diminue le 0.5% par chaque degré d'augmentation de la température de la cellule au-dessus des 25°C.
Tt = Ta + k × I
Où:
Tt = Température de travail du panneau
Ta = Maximale température ambiante
k = Coefficient (0.02°C·m²/W si il y a vent; 0.04°C·m²/W si vent pauvre)
I = Irradiance solaire (W/m²)
Maximale puissance de sortie:
Pt = Pp - (Pp × δ × ΔT)
Où:
Pt = Puissance à température de travail
Pp = Puissance crête (à 25°C)
δ = Coefficient de dégradation (%/°C)
ΔT = Incrément sur 25°C
13.7 Diodes dans les Panneaux
Les diodes sont des éléments de protection qui s'utilisent pour éviter que le courant continu des panneaux change de sens. Leur intérieur est composé de silicium et le concept est le même que celui des panneaux photovoltaïques.
Les diodes dans les panneaux évitent l'effet appelé "point chaud", sont les appelés by-pass (de passage), protègent aux modules individuels du dommage qui peut arriver par l'effet de l'ombrage partiel dans les panneaux. Un panneau ombré se convertit en un récepteur au générer moins de tension que d'autres, ceci fait que l'énergie des autres panneaux se déchargent en lui et se chauffe jusqu'au point de le détruire. Les diodes évitent ceci faisant que ce courant passe de long et ne se verse pas dans le panneau.
Dans les panneaux de certaine puissance il y a habituellement deux et jusqu'à trois diodes en série, divisant le panneau en deux parties pour ne pas l'annuler complètement et offrir meilleure protection.
Ces diodes doivent s'employer toujours dans les modules dont les connexions de cellule sont en série, spécialement en tensions égales ou supérieures à 24 Vdc.
Il existe un autre type de connexion des diodes dans une installation photovoltaïque, sont les appelés de blocage. Se connectent entre le panneau et la batterie dans une installation isolée de réseau pour éviter qu'elle se décharge en eux quand ils génèrent moins de tension les jours nuageux ou de nuit. Se joint le cathode ou négatif de la diode avec le positif de la batterie et l'anode ou positif de la diode avec le positif du panneau. S'installent dans le régulateur et normalement viennent de fabrique.
13.8 Nombre de Cellules selon Application
| Application | Nº Cellules Série | Tension Panneau |
|---|---|---|
| Batteries 12V | 30, 33, 36 ou 40 | ~18-22V (idéal 40) |
| Batteries 24V | 72 ou 80 | ~36-44V |
| Pompage solaire | 60, 72 ou 80 | Polycristallins/tandem |
| Moteurs 220V III | 600 cellules totales | ~300V |
| Moteurs 380/400V III | 1200 cellules totales | ~600V |
13.9 Association de Panneaux
Connexion en série: Est l'union du pôle positif d'un panneau avec le pôle négatif d'un autre panneau différent, de cette manière se sommeront dans les autres deux extrêmes ses tensions et puissances restant l'intensité d'un seul.
Connexion en parallèle: Est l'union des pôles négatifs de tous les panneaux par un côté et l'union des pôles positifs de tous les panneaux par l'autre, de cette forme se sommeront ses intensités et puissances restant la tension d'un seul.
Ce type de connexions se réalise habituellement dans des boîtes étanches. Dans quelques cas on peut réaliser dans les boîtes de connexion d'un panneau (non conseillé). Il existe des connecteurs homologués où on peut unir deux panneaux en parallèle.
Connexion mixte: Est l'union de panneaux en série et en parallèle (rameau).
13.10 Orientation et Inclinaison
Orientation: Azimut - vers le sud dans l'hémisphère nord (α=0º) et vers le nord dans l'hémisphère sud.
Inclinaison: dépend de la latitude et du type de consommation:
- ✓ Usage permanent: β = Latitude + 10º (intéresse maximiser la radiation dans les mois d'hiver ou moindre insolation)
- ✓ Moins consommation dans mois de basse radiation: β = Latitude (intéresse maximiser la radiation des équinoxes)
- ✓ Usage été: β = Latitude - 10º. Irrigation de Mars à Septembre est habituellement: β = Latitude - 20º
En général l'inclinaison doit surpasser 15º pour déplacer pluie et saleté mais il faut tenir compte d'autres facteurs comme le coût de la structure.
13.11 Irradiation Solaire
Pour mesurer l'irradiation solaire nous utilisons l'heure solaire pic (HSP), se définit comme le temps en heures d'une hypothétique irradiation solaire constante de 1000 W/m².
1 HSP = 3,6 MJ/m² = 1 kWh/m²
Selon usage:
- Usage permanent: HSP défavorable (Déc/Jan)
- Irrigation été: HSP moyenne mois irrigation
PVGIS: Pour le faire de manière plus précise, nous utiliserons PVGIS, obtenir l'angle d'inclinaison optimal faisant la moyenne des mois d'irrigation et puis dessiner le système pour les HSP du mois plus défavorable:
http://re.jrc.ec.europa.eu/pvgis/apps4/pvest.php
13.12 Pertes par Orientation et Inclinaison
| Type Installation | Orientation et Inclinaison | Ombres | Total |
|---|---|---|---|
| Général | 10% | 10% | 15% |
| Superposition | 20% | 15% | 30% |
| Intégration architectonique | 40% | 20% | 50% |
13.13 Distance entre Rangs
1. Inclinaison optimale:
βopt = 35º - (41º - latitude)
2. Hauteur du panneau:
h = sen(βopt) × L
Où L = longueur du panneau
3. Hauteur totale:
hT = h + h'
Où h' = 30 cm (minimum au sol)
4. Distance entre rangs:
d = hT / tang(67º - latitude)
13.14 Surface Nécessaire
Largeur du support:
a = cos(φ) × L
Espace entre rangs:
d = hT / tang(67º - latitude)
Longueur installée totale:
LT = (a + d) × Nºr - d
Largeur totale:
aT = (ap + 10) × Nºp/r
Où ap = largeur du panneau
Surface totale:
ST = LT × aT
13.1 Composition of the Photovoltaic Panel
A photovoltaic module is composed of multiple cells connected to each other in series and parallel, encapsulated in a protective "sandwich" structure. The standard composition includes:
- ✓ Tempered glass (3-4 mm): Low lead content for maximum transmissivity
- ✓ Top EVA: Ethylene-Vinyl-Acetate encapsulant
- ✓ Photovoltaic cells: Monocrystalline or polycrystalline silicon
- ✓ Bottom EVA: Second encapsulating layer
- ✓ Tedlar: Protective back cover
- ✓ Anodized aluminum frame: With fixing holes
- ✓ Junction box: With by-pass diodes and approved cables
- ✓ Silicone gasket: Sealing between frame and module
13.2 Types of Photovoltaic Cells
| Type | Structure | Efficiency | Color | Shape |
|---|---|---|---|---|
| Monocrystalline | Single crystal (Czochralski) | 15-18% | Uniform blue/black | Circular or octagonal |
| Polycrystalline | Multiple crystals | 12-15% | Blue with tones | Square/rectangular |
| Amorphous | No crystalline structure | 7-10% | Brown-reddish | Flexible |
| Thin film CIGS | Copper, Indium, Gallium, Selenium | 14-16.5% | Uniform black | Flexible |
| Thin film CdTe | Cadmium Telluride | 10% | Black | Rigid |
| Multi-junction | Multiple layers (GaAs, Ge, GaInP2) | 37-43% | Specialized | Concentration |
13.3 Monocrystalline Manufacturing Process
The Czochralski method (Cz) is the most common for monocrystalline silicon:
- ✓ Melting: Ultra pure silicon (99.999%) with boron (1 ppm) at 1400°C
- ✓ Crystallization: Rotating seed crystal
- ✓ Growth: Atoms ordered in 3 perpendicular directions
- ✓ Cutting: Cylinder cut into 0.3 mm wafers (loss up to 70%)
- ✓ Chemical treatment: Surface restoration of the cut
- ✓ Doping: Ovens 800-1000°C with phosphorus atmosphere
- ✓ Anti-reflective coating: Greater radiation utilization
- ✓ Ohmic contacts: Metallization for connection
- ✓ Characterization: Measurement of spectral properties
13.4 Electrical Characteristics of the Panel
| Parameter | Symbol | Definition | Unit |
|---|---|---|---|
| Maximum Power | Pmax or Pp | Maximum power in STC (Vmax × Imax) | Watts peak (Wp) |
| Open Circuit Voltage | Voc | Maximum voltage without load (I=0) | Volts (V) |
| Short Circuit Current | Isc or Isc | Maximum current with short circuit (V=0) | Amperes (A) |
| Maximum Power Voltage | Vmax or Vp | Voltage at maximum power point | Volts (V) |
| Maximum Current | Imax or Ip | Current at maximum power point | Amperes (A) |
| Nominal Voltage | Vn | Panel working voltage | Volts (V) |
- Irradiance: GSTC = 1000 W/m²
- Temperature: tº = 25°C
- Spectral distribution: AM (Air Mass) = 1.5
Form Factor (FF):
FF = Pm/(Isc×Voc) = Vmax×Imax/(Isc×Voc)
Typical value: 0.7
Efficiency:
μ(%) = Pu/Pa = Pu/(S×GSTC)
Where Pu = Useful power, Pa = Absorbed power, S = Surface
13.5 Effect of Irradiance
The current delivered by the panel is directly proportional to the irradiance received. On the contrary, the voltage value is barely affected. From this we can deduce that having voltage in the panel does not mean we have power, since the output current can be very low.
13.6 Effect of Temperature
Temperature affects the panel voltage. In silicon panels, the voltage decreases at a rate of 2.3×10⁻³ volts per cell and degree centigrade that the temperature increases above 25°C. In the same way, the current increases 15×10⁻⁶ A per each cm² of circular area and per each degree centigrade above 25°C.
Speaking of power, it decreases 0.5% for each degree increase in cell temperature above 25°C.
Tt = Ta + k × I
Where:
Tt = Panel working temperature
Ta = Maximum ambient temperature
k = Coefficient (0.02°C·m²/W if there is wind; 0.04°C·m²/W if poor wind)
I = Solar irradiance (W/m²)
Maximum output power:
Pt = Pp - (Pp × δ × ΔT)
Where:
Pt = Power at working temperature
Pp = Peak power (at 25°C)
δ = Degradation coefficient (%/°C)
ΔT = Increment over 25°C
13.7 Diodes in Panels
Diodes are protection elements used to prevent the direct current from the panels from changing direction. Their interior is composed of silicon and the concept is the same as that of photovoltaic panels.
The diodes in the panels avoid the so-called "hot spot" effect, they are the so-called by-pass (bypass), they protect individual modules from damage that can occur due to the effect of partial shading on the panels. A shaded panel becomes a receiver when generating less voltage than others, this causes the energy from the other panels to discharge into it and heat up to the point of destroying it. Diodes avoid this by making that current pass through and not pour into the panel.
In panels of certain power there are usually two and up to three diodes in series, dividing the panel into two parts to not completely nullify it and offer better protection.
These diodes must always be used in modules whose cell connections are in series, especially in voltages equal to or greater than 24 Vdc.
There is another type of diode connection in a photovoltaic installation, they are called blocking. They are connected between the panel and the battery in a grid-isolated installation to prevent it from discharging into them when they generate less voltage on cloudy days or at night. The cathode or negative of the diode is connected to the positive of the battery and the anode or positive of the diode to the positive of the panel. They are installed in the regulator and normally come from the factory.
13.8 Number of Cells according to Application
| Application | No. Series Cells | Panel Voltage |
|---|---|---|
| 12V Batteries | 30, 33, 36 or 40 | ~18-22V (ideal 40) |
| 24V Batteries | 72 or 80 | ~36-44V |
| Solar pumping | 60, 72 or 80 | Polycrystalline/tandem |
| 220V III Motors | 600 total cells | ~300V |
| 380/400V III Motors | 1200 total cells | ~600V |
13.9 Panel Association
Series connection: It is the union of the positive pole of one panel with the negative pole of another different panel, in this way their voltages and powers will be added at the other two ends, keeping the current of only one.
Parallel connection: It is the union of the negative poles of all the panels on one side and the union of the positive poles of all the panels on the other, in this way their currents and powers will be added, keeping the voltage of only one.
This type of connections is usually made in waterproof boxes. In some cases they can be made in the connection boxes of a panel (not advisable). There are approved connectors where two panels can be joined in parallel.
Mixed connection: It is the union of panels in series and in parallel (branch).
13.10 Orientation and Tilt
Orientation: Azimuth - towards the south in the northern hemisphere (α=0º) and towards the north in the southern hemisphere.
Tilt: depends on the latitude and type of consumption:
- ✓ Permanent use: β = Latitude + 10º (interested in maximizing radiation in winter months or less insolation)
- ✓ Less consumption in low radiation months: β = Latitude (interested in maximizing equinox radiation)
- ✓ Summer use: β = Latitude - 10º. Irrigation from March to September is usually: β = Latitude - 20º
In general the tilt must exceed 15º to displace rain and dirt but other factors such as the cost of the structure must be taken into account.
13.11 Solar Irradiation
To measure solar irradiation we use the peak solar hour (PSH), it is defined as the time in hours of a hypothetical constant solar irradiation of 1000 W/m².
1 PSH = 3.6 MJ/m² = 1 kWh/m²
According to use:
- Permanent use: Unfavorable PSH (Dec/Jan)
- Summer irrigation: Average PSH irrigation months
PVGIS: To do it more precisely, we will use PVGIS, obtain the optimal tilt angle by averaging the irrigation months and then design the system for the PSH of the most unfavorable month:
http://re.jrc.ec.europa.eu/pvgis/apps4/pvest.php
13.12 Losses due to Orientation and Tilt
| Installation Type | Orientation and Tilt | Shadows | Total |
|---|---|---|---|
| General | 10% | 10% | 15% |
| Overlap | 20% | 15% | 30% |
| Architectural integration | 40% | 20% | 50% |
13.13 Distance between Rows
1. Optimal tilt:
βopt = 35º - (41º - latitude)
2. Panel height:
h = sen(βopt) × L
Where L = panel length
3. Total height:
hT = h + h'
Where h' = 30 cm (minimum to ground)
4. Distance between rows:
d = hT / tang(67º - latitude)
13.14 Required Surface
Support width:
a = cos(φ) × L
Space between rows:
d = hT / tang(67º - latitude)
Total installed length:
LT = (a + d) × Nºr - d
Total width:
aT = (ap + 10) × Nºp/r
Where ap = panel width
Total surface:
ST = LT × aT
13.1 تكوين اللوح الكهروضوئي
يتكون الوحدة الكهروضوئية من خلايا متعددة متصلة ببعضها البعض على التوالي والتوازي، مغلفة في هيكل "شطيرة" واقي. يتكون التكوين القياسي من:
- ✓ زجاج مقسى (3-4 مم): محتوى منخفض من الرصاص لأقصى نفاذية
- ✓ EVA العلوي: مغلف إيثيلين-فاينيل-أسيتات
- ✓ الخلايا الكهروضوئية: سيليكون أحادي أو متعدد البلورات
- ✓ EVA السفلي: طبقة مغلفة ثانية
- ✓ تيدلار: غطاء خلفي واقي
- ✓ إطار ألمنيوم مؤكسد: مع ثقوب تثبيت
- ✓ صندوق التوصيلات: مع صمامات تجاوز وكابلات معتمدة
- ✓ حشوة سيليكون: إحكام بين الإطار والوحدة
13.2 أنواع الخلايا الكهروضوئية
| النوع | الهيكل | الكفاءة | اللون | الشكل |
|---|---|---|---|---|
| أحادي البلورة | بلورة واحدة (كوتشرالسكي) | 15-18% | أزرق موحد/أسود | دائري أو ثماني |
| متعدد البلورات | بلورات متعددة | 12-15% | أزرق بدرجات | مربع/مستطيل |
| غير متبلور | بدون هيكل بلوري | 7-10% | بني محمر | مرن |
| طبقة رقيقة CIGS | نحاس، إنديوم، غاليوم، سيلينيوم | 14-16.5% | أسود موحد | مرن |
| طبقة رقيقة CdTe | تيلوريد الكادميوم | 10% | أسود | صلب |
| متعدد الوصلات | طبقات متعددة (GaAs, Ge, GaInP2) | 37-43% | متخصص | تركيز |
13.3 عملية التصنيع أحادي البلورة
طريقة كوتشرالسكي (Cz) هي الأكثر شيوعًا للسيليكون أحادي البلورة:
- ✓ الصهر: سيليكون نقي جدًا (99.999%) مع بورون (1 جزء في المليون) عند 1400°م
- ✓ التبلور: بذرة بلورية دوارة
- ✓ النمو: الذرات ترتب في 3 اتجاهات متعامدة
- ✓ القطع: أسطوانة مقطعة إلى رقائق 0.3 مم (خسارة حتى 70%)
- ✓ المعالجة الكيميائية: استعادة سطح القطع
- ✓ التطعيم: أفران 800-1000°م مع جو من الفوسفور
- ✓ طبقة مضادة للانعكاس: استفادة أكبر من الإشعاع
- ✓ اتصالات أومية: تمعدن للاتصال
- ✓ التوصيف: قياس الخصائص الطيفية
13.4 الخصائص الكهربائية للوح
| المعامل | الرمز | التعريف | الوحدة |
|---|---|---|---|
| القدرة القصوى | Pmax أو Pp | أقصى قدرة في CEM (Vmax × Imax) | واط ذروة (Wp) |
| جهد الدائرة المفتوحة | Voc | أقصى جهد بدون حمل (I=0) | فولت (V) |
| شدة الدائرة القصيرة | Icc أو Isc | أقصى شدة مع دائرة قصيرة (V=0) | أمبير (A) |
| جهد القدرة القصوى | Vmax أو Vp | الجهد عند نقطة القدرة القصوى | فولت (V) |
| الشدة القصوى | Imax أو Ip | الشدة عند نقطة القدرة القصوى | أمبير (A) |
| الجهد الاسمي | Vn | جهد عمل اللوح | فولت (V) |
- الإشعاع: GCEM = 1000 واط/م²
- درجة الحرارة: tº = 25°م
- التوزيع الطيفي: AM (كتلة الهواء) = 1.5
عامل الشكل (FF):
FF = Pm/(Isc×Voc) = Vmax×Imax/(Isc×Voc)
القيمة النموذجية: 0.7
الكفاءة:
μ(%) = Pu/Pa = Pu/(S×GCEM)
حيث Pu = القدرة المفيدة، Pa = القدرة الممتصة، S = السطح
13.5 تأثير الإشعاع
الشدة التي يقدمها اللوح تتناسب طرديًا مع الإشعاع المستلم. على العكس من ذلك، قيمة الجهد بالكاد تتأثر. من هذا يمكننا أن نستنتج أن وجود جهد في اللوح لا يعني أن لدينا قدرة، حيث أن شدة الخرج يمكن أن تكون منخفضة جدًا.
13.6 تأثير درجة الحرارة
درجة الحرارة تؤثر على جهد اللوح. في ألواح السيليكون، ينخفض الجهد بمعدل 2.3×10⁻³ فولت لكل خلية وكل درجة مئوية تزيد درجة الحرارة فوق 25°م. بنفس الطريقة، تزداد الشدة 15×10⁻⁶ أمبير لكل سم² من المساحة الدائرية ولكل درجة مئوية فوق 25°م.
عند الحديث عن القدرة، تنخفض بنسبة 0.5% لكل درجة زيادة في درجة حرارة الخلية فوق 25°م.
Tt = Ta + k × I
حيث:
Tt = درجة حرارة عمل اللوح
Ta = أقصى درجة حرارة محيطة
k = معامل (0.02°م·م²/واط إذا كان هناك رياح؛ 0.04°م·م²/واط إذا كانت رياح ضعيفة)
I = الإشعاع الشمسي (واط/م²)
أقصى قدرة خرج:
Pt = Pp - (Pp × δ × ΔT)
حيث:
Pt = القدرة عند درجة حرارة العمل
Pp = القدرة الذروة (عند 25°م)
δ = معامل التدهور (%/°م)
ΔT = الزيادة فوق 25°م
13.7 الصمامات في الألواح
الصمامات هي عناصر حماية تستخدم لمنع التيار المستمر من الألواح من تغيير الاتجاه. داخلها يتكون من السيليكون والمفهوم هو نفسه للألواح الكهروضوئية.
الصمامات في الألواح تمنع ما يسمى "النقطة الساخنة"، تسمى بالتجاوز (by-pass)، تحمي الوحدات الفردية من الضرر الذي يمكن أن يحدث بسبب تأثير التظليل الجزئي في الألواح. اللوح المظلل يصبح مستقبلًا عند توليد جهد أقل من الآخرين، هذا يجعل طاقة الألواح الأخرى تتفريغ فيه وتسخن حتى نقطة تدميره. الصمامات تمنع هذا بجعل ذلك التيار يمر ولا يصب في اللوح.
في الألواح ذات القدرة المعينة عادة ما يكون هناك اثنان وحتى ثلاثة صمامات على التوالي، تقسم اللوح إلى جزأين لعدم إلغائه تمامًا وتقديم حماية أفضل.
يجب استخدام هذه الصمامات دائمًا في الوحدات التي تكون اتصالات الخلايا فيها على التوالي، خاصة في الجهود المساوية أو الأكبر من 24 فولت تيار مستمر.
يوجد نوع آخر من توصيل الصمامات في التركيب الكهروضوئي، تسمى بالحظر. توصل بين اللوح والبطارية في تركيب معزول عن الشبكة لمنع تفريغها فيها عندما تولد جهدًا أقل في الأيام الغائمة أو في الليل. يوصل الكاثود أو سالب الصمام مع موجب البطارية والأنود أو موجب الصمام مع موجب اللوح. تركب في المنظم وعادة ما تأتي من المصنع.
13.8 عدد الخلايا حسب التطبيق
| التطبيق | عدد الخلايا على التوالي | جهد اللوح |
|---|---|---|
| بطاريات 12 فولت | 30، 33، 36 أو 40 | ~18-22 فولت (مثالي 40) |
| بطاريات 24 فولت | 72 أو 80 | ~36-44 فولت |
| الضخ الشمسي | 60، 72 أو 80 | متعددة البلورات/تاندم |
| محركات 220 فولت ثلاثي | 600 خلية إجمالاً | ~300 فولت |
| محركات 380/400 فولت ثلاثي | 1200 خلية إجمالاً | ~600 فولت |
13.9 تجميع الألواح
الاتصال على التوالي: هو اتحاد القطب الموجب للوح مع القطب السالب للوح آخر مختلف، بهذه الطريقة ستجمع في الطرفين الآخرين جهوده وقدرته مع بقاء شدة واحد فقط.
الاتصال على التوازي: هو اتحاد الأقطاب السالبة لجميع الألواح من جانب واتحاد الأقطاب الموجبة لجميع الألواح من الجانب الآخر، بهذه الطريقة ستجمع شدتها وقدرتها مع بقاء جهد واحد فقط.
هذا النوع من الاتصالات يتم عادة في صناديق محكمة. في بعض الحالات يمكن عملها في صناديق توصيل اللوح (غير مستحسن). توجد موصلات معتمدة حيث يمكن توصيل لوحين على التوازي.
الاتصال المختلط: هو اتحاد الألواح على التوالي وعلى التوازي (فرع).
13.10 التوجيه والميل
التوجيه: السمت - نحو الجنوب في نصف الكرة الشمالي (α=0º) ونحو الشمال في نصف الكرة الجنوبي.
الميل: يعتمد على خط العرض ونوع الاستهلاك:
- ✓ استخدام دائم: β = خط العرض + 10º (يهتم بتعظيم الإشعاع في أشهر الشتاء أو أقل إشعاع)
- ✓ أقل استهلاك في أشهر الإشعاع المنخفض: β = خط العرض (يهتم بتعظيم إشعاع الاعتدالين)
- ✓ استخدام صيفي: β = خط العرض - 10º. الري من مارس إلى سبتمبر عادة: β = خط العرض - 20º
بشكل عام يجب أن يتجاوز الميل 15º لإزاحة المطر والأوساخ ولكن يجب مراعاة عوامل أخرى مثل تكلفة الهيكل.
13.11 الإشعاع الشمسي
لقياس الإشعاع الشمسي نستخدم ساعة الشمس الذروة (HSP)، تعرف بأنها الوقت بالساعات لإشعاع شمسي افتراضي ثابت قدره 1000 واط/م².
1 HSP = 3.6 ميجاجول/م² = 1 كيلوواط ساعة/م²
حسب الاستخدام:
- استخدام دائم: HSP غير مواتي (ديسمبر/يناير)
- ري صيفي: متوسط HSP أشهر الري
PVGIS: للقيام بذلك بطريقة أكثر دقة، سنستخدم PVGIS، الحصول على زاوية الميل المثالية بعمل متوسط أشهر الري ثم تصميم النظام لـ HSP الشهر الأكثر عدم ملاءمة:
http://re.jrc.ec.europa.eu/pvgis/apps4/pvest.php
13.12 الخسائر بسبب التوجيه والميل
| نوع التركيب | التوجيه والميل | الظلال | الإجمالي |
|---|---|---|---|
| عام | 10% | 10% | 15% |
| تراكب | 20% | 15% | 30% |
| تكامل معماري | 40% | 20% | 50% |
13.13 المسافة بين الصفوف
1. الميل المثالي:
βopt = 35º - (41º - خط العرض)
2. ارتفاع اللوح:
h = sen(βopt) × L
حيث L = طول اللوح
3. الارتفاع الإجمالي:
hT = h + h'
حيث h' = 30 سم (الحد الأدنى للأرض)
4. المسافة بين الصفوف:
d = hT / tang(67º - خط العرض)
13.14 السطح المطلوب
عرض الدعم:
a = cos(φ) × L
المسافة بين الصفوف:
d = hT / tang(67º - خط العرض)
الطول المركب الإجمالي:
LT = (a + d) × Nºr - d
العرض الإجمالي:
aT = (ap + 10) × Nºp/r
حيث ap = عرض اللوح
السطح الإجمالي:
ST = LT × aT
13.1 ترکیب پنل فتوولتائیک
یک ماژول فتوولتائیک از سلولهای متعدد تشکیل شده که به صورت سری و موازی به هم متصل شدهاند و در یک ساختار "ساندویچی" محافظ کپسوله شدهاند. ترکیب استاندارد شامل:
- ✓ شیشه حرارت دیده (3-4 میلیمتر): محتوای سرب کم برای حداکثر عبور
- ✓ EVA بالا: کپسولکننده اتیلن-وینیل-استات
- ✓ سلولهای فتوولتائیک: سیلیکون تک یا چند کریستالی
- ✓ EVA پایین: لایه کپسولکننده دوم
- ✓ تدلار: پوشش محافظ پشتی
- ✓ قاب آلومینیوم آنودایز شده: با سوراخهای نصب
- ✓ جعبه اتصال: با دیودهای بایپس و کابلهای تایید شده
- ✓ واشر سیلیکون: آببندی بین قاب و ماژول
13.2 انواع سلولهای فتوولتائیک
| نوع | ساختار | بازده | رنگ | شکل |
|---|---|---|---|---|
| تک کریستالی | کریستال واحد (چکرالسکی) | 15-18% | آبی یکنواخت/سیاه | دایرهای یا هشتضلعی |
| چند کریستالی | کریستالهای متعدد | 12-15% | آبی با تنها | مربع/مستطیل |
| آمورف | بدون ساختار کریستالی | 7-10% | قهوهای مایل به قرمز | انعطافپذیر |
| لایه نازک CIGS | مس، ایندیوم، گالیوم، سلنیوم | 14-16.5% | سیاه یکنواخت | انعطافپذیر |
| لایه نازک CdTe | تلورید کادمیوم | 10% | سیاه | صلب |
| چند اتصال | لایههای متعدد (GaAs, Ge, GaInP2) | 37-43% | تخصصی | تمرکز |
13.3 فرآیند ساخت تک کریستالی
روش چکرالسکی (Cz) رایجترین برای سیلیکون تک کریستالی است:
- ✓ ذوب: سیلیکون فوقالعاده خالص (99.999%) با بور (1 قسمت در میلیون) در 1400°س
- ✓ کریستالیزاسیون: بذر کریستال چرخان
- ✓ رشد: اتمها در 3 جهت عمود مرتب میشوند
- ✓ برش: استوانه به ورقههای 0.3 میلیمتر بریده میشود (خسارت تا 70%)
- ✓ عملیات شیمیایی: بازیابی سطح برش
- ✓ دوپینگ: کورههای 800-1000°س با اتمسفر فسفر
- ✓ لایه ضد بازتاب: استفاده بیشتر از تابش
- ✓ اتصالات اهمی: متالیزاسیون برای اتصال
- ✓ مشخصهیابی: اندازهگیری خواص طیفی
13.4 مشخصات الکتریکی پنل
| پارامتر | نماد | تعریف | واحد |
|---|---|---|---|
| حداکثر توان | Pmax یا Pp | حداکثر توان در CEM (Vmax × Imax) | وات اوج (Wp) |
| ولتاژ مدار باز | Voc | حداکثر ولتاژ بدون بار (I=0) | ولت (V) |
| جریان اتصال کوتاه | Icc یا Isc | حداکثر جریان با اتصال کوتاه (V=0) | آمپر (A) |
| ولتاژ حداکثر توان | Vmax یا Vp | ولتاژ در نقطه حداکثر توان | ولت (V) |
| حداکثر جریان | Imax یا Ip | جریان در نقطه حداکثر توان | آمپر (A) |
| ولتاژ نامی | Vn | ولتاژ کار پنل | ولت (V) |
- تابش: GCEM = 1000 وات/م²
- دما: tº = 25°س
- توزیع طیفی: AM (جرم هوا) = 1.5
ضریب شکل (FF):
FF = Pm/(Isc×Voc) = Vmax×Imax/(Isc×Voc)
مقدار معمول: 0.7
بازده:
μ(%) = Pu/Pa = Pu/(S×GCEM)
جایی که Pu = توان مفید، Pa = توان جذب شده، S = سطح
13.5 اثر تابش
جریانی که پنل ارائه میدهد مستقیماً با تابش دریافتی متناسب است. برعکس، مقدار ولتاژ به سختی تحت تأثیر قرار میگیرد. از این میتوانیم استنباط کنیم که داشتن ولتاژ در پنل به این معنا نیست که توان داریم، زیرا جریان خروجی میتواند بسیار کم باشد.
13.6 اثر دما
دما بر ولتاژ پنل تأثیر میگذارد. در پنلهای سیلیکون، ولتاژ به نرخ 2.3×10⁻³ ولت به ازای هر سلول و هر درجه سانتیگراد که دما بالای 25°س افزایش مییابد، کاهش مییابد. به همین ترتیب، جریان 15×10⁻⁶ آمپر به ازای هر سانتیمتر مربع سطح دایرهای و به ازای هر درجه سانتیگراد بالای 25°س افزایش مییابد.
وقتی از توان صحبت میکنیم، به ازای هر درجه افزایش دمای سلول بالای 25°س، 0.5% کاهش مییابد.
Tt = Ta + k × I
جایی که:
Tt = دمای کار پنل
Ta = حداکثر دمای محیط
k = ضریب (0.02°س·م²/وات اگر باد باشد؛ 0.04°س·م²/وات اگر باد ضعیف باشد)
I = تابش خورشیدی (وات/م²)
حداکثر توان خروجی:
Pt = Pp - (Pp × δ × ΔT)
جایی که:
Pt = توان در دمای کار
Pp = توان اوج (در 25°س)
δ = ضریب تخریب (%/°س)
ΔT = افزایش بالای 25°س
13.7 دیودها در پنلها
دیودها عناصر حفاظتی هستند که برای جلوگیری از تغییر جهت جریان مستقیم از پنلها استفاده میشوند. داخل آنها از سیلیکون تشکیل شده و مفهوم همان مفهوم پنلهای فتوولتائیک است.
دیودها در پنلها از آنچه "نقطه داغ" نامیده میشود جلوگیری میکنند، آنها بایپس (bypass) نامیده میشوند، از ماژولهای فردی در برابر آسیبی که میتواند به دلیل اثر سایهاندازی جزئی در پنلها رخ دهد محافظت میکنند. یک پنل سایهاندازی شده به یک گیرنده تبدیل میشود وقتی ولتاژ کمتری نسبت به دیگران تولید میکند، این باعث میشود انرژی از پنلهای دیگر در آن تخلیه شود و تا نقطهای که آن را نابود کند گرم شود. دیودها از این جلوگیری میکنند با اینکه آن جریان عبور کند و در پنل نریزد.
در پنلهایی با توان معین معمولاً دو و تا سه دیود به صورت سری وجود دارد، پنل را به دو قسمت تقسیم میکنند تا آن را کاملاً خنثی نکنند و حفاظت بهتری ارائه دهند.
این دیودها باید همیشه در ماژولهایی که اتصالات سلول آنها به صورت سری است استفاده شوند، به خصوص در ولتاژهای مساوی یا بیشتر از 24 ولت DC.
نوع دیگری از اتصال دیودها در یک تأسیس فتوولتائیک وجود دارد، آنها مسدودکننده نامیده میشوند. بین پنل و باتری در یک تأسیس جدا از شبکه متصل میشوند تا از تخلیه در آنها وقتی ولتاژ کمتری در روزهای ابری یا شب تولید میکنند جلوگیری کنند. کاتد یا منفی دیود به مثبت باتری و آند یا مثبت دیود به مثبت پنل متصل میشود. در تنظیمکننده نصب میشوند و معمولاً از کارخانه میآیند.
13.8 تعداد سلولها بر اساس کاربرد
| کاربرد | تعداد سلولهای سری | ولتاژ پنل |
|---|---|---|
| باتریهای 12 ولت | 30، 33، 36 یا 40 | ~18-22 ولت (ایدهآل 40) |
| باتریهای 24 ولت | 72 یا 80 | ~36-44 ولت |
| پمپاژ خورشیدی | 60، 72 یا 80 | چند کریستالی/تاندم |
| موتورهای 220 ولت سه فاز | 600 سلول در مجموع | ~300 ولت |
| موتورهای 380/400 ولت سه فاز | 1200 سلول در مجموع | ~600 ولت |
13.9 اتصال پنلها
اتصال سری: اتصال قطب مثبت یک پنل با قطب منفی یک پنل دیگر متفاوت است، به این ترتیب ولتاژها و توانهای آنها در دو انتهای دیگر جمع میشوند در حالی که جریان فقط یکی باقی میماند.
اتصال موازی: اتصال قطبهای منفی همه پنلها از یک طرف و اتصال قطبهای مثبت همه پنلها از طرف دیگر، به این ترتیب جریانها و توانهای آنها جمع میشوند در حالی که ولتاژ فقط یکی باقی میماند.
این نوع اتصالات معمولاً در جعبههای ضد آب انجام میشود. در برخی موارد میتوان در جعبههای اتصال یک پنل انجام داد (توصیه نمیشود). اتصالهای تایید شدهای وجود دارد که میتوان دو پنل را به صورت موازی متصل کرد.
اتصال مختلط: اتصال پنلها به صورت سری و موازی (شاخه) است.
13.10 جهتگیری و شیب
جهتگیری: سمت - به سمت جنوب در نیمکره شمالی (α=0º) و به سمت شمال در نیمکره جنوبی.
شیب: به عرض جغرافیایی و نوع مصرف بستگی دارد:
- ✓ استفاده دائمی: β = عرض جغرافیایی + 10º (علاقهمند به به حداکثر رساندن تابش در ماههای زمستان یا کمتر آفتاب)
- ✓ مصرف کمتر در ماههای تابش کم: β = عرض جغرافیایی (علاقهمند به به حداکثر رساندن تابش اعتدالین)
- ✓ استفاده تابستانی: β = عرض جغرافیایی - 10º. آبیاری از مارس تا سپتامبر معمولاً: β = عرض جغرافیایی - 20º
به طور کلی شیب باید از 15º بیشتر باشد تا باران و کثیفی را جابجا کند اما باید عوامل دیگر مانند هزینه سازه را در نظر گرفت.
13.11 تابش خورشیدی
برای اندازهگیری تابش خورشیدی از ساعت خورشیدی اوج (HSP) استفاده میکنیم، به عنوان زمان در ساعتهای یک تابش خورشیدی فرضی ثابت 1000 وات/م² تعریف میشود.
1 HSP = 3.6 مگاژول/م² = 1 کیلووات ساعت/م²
بر اساس استفاده:
- استفاده دائمی: HSP نامطلوب (دسامبر/ژانویه)
- آبیاری تابستان: میانگین HSP ماههای آبیاری
PVGIS: برای انجام دقیقتر، از PVGIS استفاده خواهیم کرد، زاویه شیب بهینه را با میانگینگیری ماههای آبیاری به دست آورید و سپس سیستم را برای HSP نامطلوبترین ماه طراحی کنید:
http://re.jrc.ec.europa.eu/pvgis/apps4/pvest.php
13.12 تلفات به دلیل جهتگیری و شیب
| نوع تأسیس | جهتگیری و شیب | سایهها | کل |
|---|---|---|---|
| عمومی | 10% | 10% | 15% |
| همپوشانی | 20% | 15% | 30% |
| ادغام معماری | 40% | 20% | 50% |
13.13 فاصله بین ردیفها
1. شیب بهینه:
βopt = 35º - (41º - عرض جغرافیایی)
2. ارتفاع پنل:
h = sen(βopt) × L
جایی که L = طول پنل
3. ارتفاع کل:
hT = h + h'
جایی که h' = 30 سانتیمتر (حداقل به زمین)
4. فاصله بین ردیفها:
d = hT / tang(67º - عرض جغرافیایی)
13.14 سطح مورد نیاز
عرض تکیهگاه:
a = cos(φ) × L
فاصله بین ردیفها:
d = hT / tang(67º - عرض جغرافیایی)
طول نصب شده کل:
LT = (a + d) × Nºr - d
عرض کل:
aT = (ap + 10) × Nºp/r
جایی که ap = عرض پنل
سطح کل:
ST = LT × aT
13.1 Composição do Painel Fotovoltaico
Um módulo fotovoltaico é composto por múltiplas células conectadas entre si em série e paralelo, encapsuladas em uma estrutura "sanduíche" protetora. A composição padrão inclui:
- ✓ Vidro temperado (3-4 mm): Baixo teor de chumbo para máxima transmissividade
- ✓ EVA superior: Encapsulante Etileno-Vinil-Acetato
- ✓ Células fotovoltaicas: Silício monocristalino ou policristalino
- ✓ EVA inferior: Segunda camada encapsulante
- ✓ Tedlar: Cobertura posterior protetora
- ✓ Moldura de alumínio anodizado: Com furos de fixação
- ✓ Caixa de conexões: Com diodos by-pass e cabos homologados
- ✓ Junta de silicone: Estanqueidade entre moldura e módulo
13.2 Tipos de Células Fotovoltaicas
| Tipo | Estrutura | Eficiência | Cor | Forma |
|---|---|---|---|---|
| Monocristalina | Cristal único (Czochralski) | 15-18% | Azul uniforme/preto | Circular ou octogonal |
| Policristalina | Múltiplos cristais | 12-15% | Azul com tons | Quadrada/retangular |
| Amorfa | Sem estrutura cristalina | 7-10% | Marrom-avermelhado | Flexível |
| Camada fina CIGS | Cobre, Índio, Gálio, Selênio | 14-16.5% | Preto uniforme | Flexível |
| Camada fina CdTe | Telureto de Cádmio | 10% | Preto | Rígido |
| Multiunión | Camadas múltiplas (GaAs, Ge, GaInP2) | 37-43% | Especializado | Concentração |
13.3 Processo de Fabricação Monocristalino
O método Czochralski (Cz) é o mais comum para silício monocristalino:
- ✓ Fusão: Silício ultra puro (99.999%) com boro (1 ppm) a 1400°C
- ✓ Cristalização: Semente de cristal gême giratória
- ✓ Crescimento: Átomos se ordenam em 3 direções perpendiculares
- ✓ Corte: Cilindro cortado em obleias de 0.3 mm (perda até 70%)
- ✓ Tratamento químico: Restauração superficial do corte
- ✓ Dopagem: Fornos 800-1000°C com atmosfera de fósforo
- ✓ Camada antirrefletante: Maior aproveitamento de radiação
- ✓ Contatos ôhmicos: Metalização para conexão
- ✓ Caracterização: Medida de propriedades espectrais
13.4 Características Elétricas do Painel
| Parâmetro | Símbolo | Definição | Unidade |
|---|---|---|---|
| Potência Máxima | Pmax ou Pp | Máxima potência em CEM (Vmax × Imax) | Watts pico (Wp) |
| Tensão Vazio | Voc | Máxima tensão sem carga (I=0) | Volt (V) |
| Intensidade Curto-circuito | Icc ou Isc | Máxima intensidade com curto-circuito (V=0) | Ampère (A) |
| Tensão Máxima Potência | Vmax ou Vp | Tensão em ponto máxima potência | Volt (V) |
| Intensidade Máxima | Imax ou Ip | Intensidade em ponto máxima potência | Ampère (A) |
| Tensão Nominal | Vn | Tensão de trabalho do painel | Volt (V) |
- Irradiância: GCEM = 1000 W/m²
- Temperatura: tº = 25°C
- Distribuição espectral: AM (Air Mass) = 1.5
Fator de Forma (FF):
FF = Pm/(Isc×Voc) = Vmax×Imax/(Isc×Voc)
Valor típico: 0.7
Eficiência:
μ(%) = Pu/Pa = Pu/(S×GCEM)
Onde Pu = Potência útil, Pa = Potência absorvida, S = Superfície
13.5 Efeito da Irradiância
A intensidade que cede o painel é diretamente proporcional à irradiância recebida. Pelo contrário, o valor de tensão apenas é afetado. Com isto podemos deduzir que o fato de ter tensão no painel não significa que tenhamos potência, já que a intensidade de saída pode ser muito baixa.
13.6 Efeito da Temperatura
A temperatura afeta à tensão do painel. Em painéis de silício, o voltaje diminui a razão de 2.3×10⁻³ volts por célula e grau centígrado que se incremente a temperatura por cima dos 25°C. Da mesma maneira, a intensidade aumenta 15×10⁻⁶ A por cada cm² de área circular e por cada grau centígrado por cima dos 25°C.
Falando de potência, diminui o 0.5% por cada grau de aumento da temperatura da célula por cima dos 25°C.
Tt = Ta + k × I
Onde:
Tt = Temperatura de trabalho do painel
Ta = Máxima temperatura ambiente
k = Coeficiente (0.02°C·m²/W se há vento; 0.04°C·m²/W se vento pobre)
I = Irradiância solar (W/m²)
Máxima potência de saída:
Pt = Pp - (Pp × δ × ΔT)
Onde:
Pt = Potência a temperatura de trabalho
Pp = Potência pico (a 25°C)
δ = Coeficiente de degradação (%/°C)
ΔT = Incremento sobre 25°C
13.7 Diodos em Painéis
Os diodos são elementos de proteção que se utilizam para evitar que a corrente contínua dos painéis mude de sentido. Seu interior está composto de silício e o conceito é o mesmo que o dos painéis fotovoltaicos.
Os diodos nos painéis evitam o chamado "ponto quente", são os chamados by-pass (de passo), protegem aos módulos individuais do dano que pode ocorrer pelo efeito do sombreado parcial nos painéis. Um painel sombreado se converte em um receptor ao gerar menos tensão que outros, isto faz que a energia dos demais painéis se descarreguem nele e se aqueça até o ponto de destruí-lo. Os diodos evitam isto fazendo que essa corrente passe de longo e não se volte no painel.
Em painéis de certa potência costuma haver dois e até três diodos em série, dividindo o painel em duas partes para não anulá-lo completamente e oferecer melhor proteção.
Estes diodos devem empregar-se sempre em módulos cujas conexões de célula estão em série, especialmente em tensões iguais ou superiores a 24 Vdc.
Existe outro tipo de conexão dos diodos em uma instalação fotovoltaica, são os chamados de bloqueio. Conectam-se entre o painel e a bateria em uma instalação isolada de rede para evitar que se descarregue neles quando geram menos tensão em dias nublados ou de noite. Une-se o cátodo ou negativo do diodo com o positivo da bateria e o ânodo ou positivo do diodo com o positivo do painel. Instalam-se no regulador e normalmente vêm de fábrica.
13.8 Número de Células segundo Aplicação
| Aplicação | Nº Células Série | Tensão Painel |
|---|---|---|
| Baterias 12V | 30, 33, 36 ou 40 | ~18-22V (ideal 40) |
| Baterias 24V | 72 ou 80 | ~36-44V |
| Bombeamento solar | 60, 72 ou 80 | Policristalinos/tandem |
| Motores 220V III | 600 células totais | ~300V |
| Motores 380/400V III | 1200 células totais | ~600V |
13.9 Associação de Painéis
Conexão em série: É a união do polo positivo de um painel com o polo negativo de outro painel distinto, desta maneira se somarão nos outros dois extremos suas tensões e potências permanecendo a intensidade de um só.
Conexão em paralelo: É a união dos polos negativos de todos os painéis por um lado e a união dos polos positivos de todos os painéis por outro, desta forma se somarão suas intensidades e potências permanecendo a tensão de um só.
Este tipo de conexões se realiza habitualmente em caixas estanques. Em alguns casos se podem realizar nas caixas de conexão de um painel (não aconselhável). Existem conectores homologados onde se podem unir dois painéis em paralelo.
Conexão mista: É a união de painéis em série e em paralelo (ramal).
13.10 Orientação e Inclinação
Orientação: Azimut - para o sul no hemisfério norte (α=0º) e para o norte no hemisfério sul.
Inclinação: depende da latitude e do tipo de consumo:
- ✓ Uso permanente: β = Latitude + 10º (interessa maximizar a radiação nos meses de inverno ou menor insolação)
- ✓ Menos consumo em meses de baixa radiação: β = Latitude (interessa é maximizar a radiação dos equinócios)
- ✓ Uso verão: β = Latitude - 10º. Regadio de Março a Setembro costuma ser: β = Latitude - 20º
Em geral a inclinação deve superar 15º para deslocar chuva e sujeira mas há que ter em conta outros fatores como o custo da estrutura.
13.11 Irradiação Solar
Para medir a irradiação solar usamos a hora solar pico (HSP), define-se como o tempo em horas de uma hipotética irradiação solar constante de 1000 W/m².
1 HSP = 3,6 MJ/m² = 1 kWh/m²
Segundo uso:
- Uso permanente: HSP desfavorável (Dez/Jan)
- Regadio verão: HSP média meses regadio
PVGIS: Para fazê-lo de maneira mais precisa, usaremos PVGIS, obter o ângulo de inclinação ótimo fazendo a média dos meses de regadio e logo desenhar o sistema para as HSP do mês mais desfavorável:
http://re.jrc.ec.europa.eu/pvgis/apps4/pvest.php
13.12 Perdas por Orientação e Inclinação
| Tipo Instalação | Orientação e Inclinação | Sombras | Total |
|---|---|---|---|
| Geral | 10% | 10% | 15% |
| Superposição | 20% | 15% | 30% |
| Integração arquitetônica | 40% | 20% | 50% |
13.13 Distância entre Fileiras
1. Inclinação ótima:
βopt = 35º - (41º - latitude)
2. Altura do painel:
h = sen(βopt) × L
Onde L = comprimento do painel
3. Altura total:
hT = h + h'
Onde h' = 30 cm (mínimo ao solo)
4. Distância entre fileiras:
d = hT / tang(67º - latitude)
13.14 Superfície Necessária
Largura do suporte:
a = cos(φ) × L
Espaço entre fileiras:
d = hT / tang(67º - latitude)
Comprimento instalado total:
LT = (a + d) × Nºr - d
Largura total:
aT = (ap + 10) × Nºp/r
Onde ap = largura do painel
Superfície total:
ST = LT × aT
13.1 光伏板的组成
光伏组件由多个相互串联和并联连接的电池组成,封装在保护性的"三明治"结构中。标准组成包括:
- ✓ 钢化玻璃(3-4毫米): 低铅含量以获得最大透射率
- ✓ 上层EVA: 乙烯-醋酸乙烯酯封装材料
- ✓ 光伏电池: 单晶或多晶硅
- ✓ 下层EVA: 第二层封装层
- ✓ Tedlar: 保护性背板
- ✓ 阳极氧化铝框架: 带固定孔
- ✓ 接线盒: 带旁路二极管和认证电缆
- ✓ 硅橡胶垫圈: 框架和组件之间的密封
13.2 光伏电池类型
| 类型 | 结构 | 效率 | 颜色 | 形状 |
|---|---|---|---|---|
| 单晶 | 单晶(直拉法) | 15-18% | 均匀蓝色/黑色 | 圆形或八角形 |
| 多晶 | 多晶 | 12-15% | 带色调的蓝色 | 方形/矩形 |
| 非晶 | 无晶体结构 | 7-10% | 棕红色 | 柔性 |
| 薄膜CIGS | 铜、铟、镓、硒 | 14-16.5% | 均匀黑色 | 柔性 |
| 薄膜CdTe | 碲化镉 | 10% | 黑色 | 刚性 |
| 多结 | 多层(GaAs、Ge、GaInP2) | 37-43% | 专用 | 聚光 |
13.3 单晶制造工艺
直拉法(Cz)是单晶硅最常用的方法:
- ✓ 熔化: 超纯硅(99.999%)加硼(1ppm)在1400°C
- ✓ 结晶: 旋转晶种
- ✓ 生长: 原子在3个垂直方向排列
- ✓ 切割: 圆柱体切割成0.3毫米晶片(损失高达70%)
- ✓ 化学处理: 切割表面的恢复
- ✓ 掺杂: 800-1000°C炉内磷气氛
- ✓ 减反射涂层: 更大程度利用辐射
- ✓ 欧姆接触: 金属化用于连接
- ✓ 表征: 光谱特性测量
13.4 面板的电气特性
| 参数 | 符号 | 定义 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 最大功率 | Pmax或Pp | CEM条件下的最大功率(Vmax × Imax) | 峰值瓦特(Wp) |
| 开路电压 | Voc | 无负载时的最大电压(I=0) | 伏特(V) |
| 短路电流 | Icc或Isc | 短路时的最大电流(V=0) | 安培(A) |
| 最大功率电压 | Vmax或Vp | 最大功率点处的电压 | 伏特(V) |
| 最大电流 | Imax或Ip | 最大功率点处的电流 | 安培(A) |
| 额定电压 | Vn | 面板工作电压 | 伏特(V) |
- 辐照度: GCEM = 1000 W/m²
- 温度: tº = 25°C
- 光谱分布: AM(空气质量) = 1.5
形状因子(FF):
FF = Pm/(Isc×Voc) = Vmax×Imax/(Isc×Voc)
典型值: 0.7
效率:
μ(%) = Pu/Pa = Pu/(S×GCEM)
其中 Pu = 有用功率, Pa = 吸收功率, S = 表面积
13.5 辐照度的影响
面板提供的电流与接收到的辐照度成正比。相反,电压值几乎不受影响。由此我们可以推断, 面板中有电压并不意味着我们有功率,因为输出电流可能非常低。
13.6 温度的影响
温度影响面板电压。在硅面板中,电压以每电池2.3×10⁻³伏特和每摄氏度温度增加超过25°C 的速率降低。同样,电流每平方厘米圆形面积和每摄氏度超过25°C增加15×10⁻⁶安培。
谈到功率,每摄氏度电池温度增加超过25°C降低0.5%。
Tt = Ta + k × I
其中:
Tt = 面板工作温度
Ta = 最大环境温度
k = 系数(如果有风为0.02°C·m²/W; 如果风弱为0.04°C·m²/W)
I = 太阳辐照度(W/m²)
最大输出功率:
Pt = Pp - (Pp × δ × ΔT)
其中:
Pt = 工作温度下的功率
Pp = 峰值功率(在25°C)
δ = 退化系数(%/°C)
ΔT = 超过25°C的增量
13.7 面板中的二极管
二极管是用于防止面板直流电流改变方向的保护元件。其内部由硅组成,概念与光伏面板 相同。
面板中的二极管避免了所谓的"热点"效应,它们被称为旁路(by-pass),保护单个组件免受 面板部分阴影效应可能造成的损坏。阴影面板在产生比其他面板更低电压时变成接收器, 这导致其他面板的能量在其中放电并加热到破坏它的程度。二极管通过使该电流通过而不 流入面板来避免这种情况。
在具有一定功率的面板中,通常有两个甚至三个二极管串联,将面板分成两部分以不完全 消除它并提供更好的保护。
这些二极管必须始终用于电池串联连接的组件中,特别是在等于或大于24 Vdc的电压下。
光伏安装中还有另一种类型的二极管连接,它们被称为阻塞型。它们连接在离网安装中 的面板和电池之间,以防止在阴天或夜晚产生较低电压时在其中放电。二极管的阴极或负极 连接到电池的正极,二极管的阳极或正极连接到面板的正极。它们安装在调节器中,通常 来自工厂。
13.8 根据应用的电池数量
| 应用 | 串联电池数量 | 面板电压 |
|---|---|---|
| 12V电池 | 30、33、36或40 | ~18-22V(理想40) |
| 24V电池 | 72或80 | ~36-44V |
| 太阳能泵送 | 60、72或80 | 多晶/串联 |
| 220V三相电机 | 600个电池总计 | ~300V |
| 380/400V三相电机 | 1200个电池总计 | ~600V |
13.9 面板组合
串联连接: 是一个面板的正极与另一个不同面板的负极的连接,这样在另外 两端将相加它们的电压和功率,而电流保持为一个。
并联连接: 是所有面板的负极在一侧的连接和所有面板的正极在另一侧的 连接,这样它们的电流和功率将相加,而电压保持为一个。
这种类型的连接通常在防水盒中进行。在某些情况下可以在面板的连接盒中进行(不建议)。 有认证的连接器可以将两个面板并联连接。
混合连接: 是面板串联和并联的连接(分支)。
13.10 朝向和倾斜
朝向: 方位角 - 在北半球朝南(α=0º),在南半球朝北。
倾斜: 取决于纬度和消费类型:
- ✓ 永久使用: β = 纬度 + 10º(有兴趣在冬季月份或较少日照时最大化辐射)
- ✓ 低辐射月份较少消费: β = 纬度(有兴趣最大化分点辐射)
- ✓ 夏季使用: β = 纬度 - 10º。3月至9月的灌溉通常为: β = 纬度 - 20º
一般来说,倾斜必须超过15º以排除雨水和污垢,但必须考虑其他因素,如结构的成本。
13.11 太阳辐射
为了测量太阳辐射,我们使用峰值太阳时(HSP),它被定义为假设恒定太阳辐射1000 W/m² 的小时数。
1 HSP = 3.6 MJ/m² = 1 kWh/m²
根据使用:
- 永久使用: 不利的HSP(12月/1月)
- 夏季灌溉: 灌溉月份的平均HSP
PVGIS: 为了更精确地做,我们将使用PVGIS,通过灌溉月份的平均值获得 最佳倾斜角度,然后为最不利的月份的HSP设计系统:
http://re.jrc.ec.europa.eu/pvgis/apps4/pvest.php
13.12 由于朝向和倾斜造成的损失
| 安装类型 | 朝向和倾斜 | 阴影 | 总计 |
|---|---|---|---|
| 一般 | 10% | 10% | 15% |
| 重叠 | 20% | 15% | 30% |
| 建筑集成 | 40% | 20% | 50% |
13.13 排之间的距离
1. 最佳倾斜:
βopt = 35º - (41º - 纬度)
2. 面板高度:
h = sen(βopt) × L
其中 L = 面板长度
3. 总高度:
hT = h + h'
其中 h' = 30厘米(到地面的最小值)
4. 排之间的距离:
d = hT / tang(67º - 纬度)
13.14 所需表面积
支撑宽度:
a = cos(φ) × L
排之间的空间:
d = hT / tang(67º - 纬度)
总安装长度:
LT = (a + d) × Nºr - d
总宽度:
aT = (ap + 10) × Nºp/r
其中 ap = 面板宽度
总表面积:
ST = LT × aT
13.1 Состав фотоэлектрической панели
Фотоэлектрический модуль состоит из множества ячеек, соединенных между собой последовательно и параллельно, инкапсулированных в защитную структуру "сэндвич". Стандартный состав включает:
- ✓ Закаленное стекло (3-4 мм): Низкое содержание свинца для максимальной пропускной способности
- ✓ Верхний EVA: Инкапсулянт Этилен-Винилацетат
- ✓ Фотоэлектрические ячейки: Монокристаллический или поликристаллический кремний
- ✓ Нижний EVA: Второй инкапсулирующий слой
- ✓ Тедлар: Защитное заднее покрытие
- ✓ Анодированная алюминиевая рама: С крепежными отверстиями
- ✓ Соединительная коробка: С обходными диодами и утвержденными кабелями
- ✓ Силиконовая прокладка: Герметичность между рамой и модулем
13.2 Типы фотоэлектрических ячеек
| Тип | Структура | Эффективность | Цвет | Форма |
|---|---|---|---|---|
| Монокристаллический | Единый кристалл (Чохральски) | 15-18% | Равномерный синий/черный | Круглый или восьмиугольный |
| Поликристаллический | Множественные кристаллы | 12-15% | Синий с тонами | Квадратный/прямоугольный |
| Аморфный | Без кристаллической структуры | 7-10% | Коричнево-красноватый | Гибкий |
| Тонкая пленка CIGS | Медь, Индий, Галлий, Селен | 14-16.5% | Равномерный черный | Гибкий |
| Тонкая пленка CdTe | Теллурид Кадмия | 10% | Черный | Жесткий |
| Мультипереход | Множественные слои (GaAs, Ge, GaInP2) | 37-43% | Специализированный | Концентрация |
13.3 Процесс производства монокристаллического
Метод Чохральски (Cz) является наиболее распространенным для монокристаллического кремния:
- ✓ Плавление: Ультрак чистый кремний (99.999%) с бором (1 часть на миллион) при 1400°C
- ✓ Кристаллизация: Вращающееся семя кристалла
- ✓ Рост: Атомы упорядочиваются в 3 перпендикулярных направлениях
- ✓ Резка: Цилиндр разрезается на пластины 0.3 мм (потеря до 70%)
- ✓ Химическая обработка: Восстановление поверхности разреза
- ✓ Легирование: Печи 800-1000°C с атмосферой фосфора
- ✓ Антиотражающее покрытие: Большее использование излучения
- ✓ Омические контакты: Металлизация для соединения
- ✓ Характеризация: Измерение спектральных свойств
13.4 Электрические характеристики панели
| Параметр | Символ | Определение | Единица |
|---|---|---|---|
| Максимальная мощность | Pmax или Pp | Максимальная мощность в CEM (Vmax × Imax) | Ватт пик (Wp) |
| Напряжение холостого хода | Voc | Максимальное напряжение без нагрузки (I=0) | Вольт (V) |
| Ток короткого замыкания | Icc или Isc | Максимальный ток с коротким замыканием (V=0) | Ампер (A) |
| Напряжение максимальной мощности | Vmax или Vp | Напряжение в точке максимальной мощности | Вольт (V) |
| Максимальный ток | Imax или Ip | Ток в точке максимальной мощности | Ампер (A) |
| Номинальное напряжение | Vn | Рабочее напряжение панели | Вольт (V) |
- Облученность: GCEM = 1000 Вт/м²
- Температура: tº = 25°C
- Спектральное распределение: AM (Воздушная масса) = 1.5
Фактор формы (FF):
FF = Pm/(Isc×Voc) = Vmax×Imax/(Isc×Voc)
Типичное значение: 0.7
Эффективность:
μ(%) = Pu/Pa = Pu/(S×GCEM)
Где Pu = Полезная мощность, Pa = Поглощенная мощность, S = Поверхность
13.5 Эффект облученности
Ток, который отдает панель, прямо пропорционален полученной облученности. Напротив, значение напряжения едва затрагивается. Из этого мы можем вывести, что наличие напряжения в панели не означает, что у нас есть мощность, поскольку выходной ток может быть очень низким.
13.6 Эффект температуры
Температура влияет на напряжение панели. В кремниевых панелях напряжение уменьшается со скоростью 2.3×10⁻³ вольт на ячейку и градус Цельсия, который увеличивается температура выше 25°C. Точно так же ток увеличивается на 15×10⁻⁶ А на каждый см² круглой площади и на каждый градус Цельсия выше 25°C.
Говоря о мощности, она уменьшается на 0.5% на каждый градус увеличения температуры ячейки выше 25°C.
Tt = Ta + k × I
Где:
Tt = Рабочая температура панели
Ta = Максимальная температура окружающей среды
k = Коэффициент (0.02°C·м²/Вт если есть ветер; 0.04°C·м²/Вт если слабый ветер)
I = Солнечная облученность (Вт/м²)
Максимальная выходная мощность:
Pt = Pp - (Pp × δ × ΔT)
Где:
Pt = Мощность при рабочей температуре
Pp = Пиковая мощность (при 25°C)
δ = Коэффициент деградации (%/°C)
ΔT = Прирост выше 25°C
13.7 Диоды в панелях
Диоды - это защитные элементы, которые используются для предотвращения изменения направления постоянного тока от панелей. Их внутренность состоит из кремния, и концепция такая же, как у фотоэлектрических панелей.
Диоды в панелях избегают так называемого эффекта "горячей точки", они называются обходными (by-pass), они защищают отдельные модули от повреждения, которое может произойти из-за эффекта частичного затенения на панелях. Затененная панель становится приемником при генерации меньшего напряжения, чем другие, это заставляет энергию других панелей разряжаться в ней и нагреваться до точки разрушения. Диоды избегают этого, заставляя этот ток проходить и не выливаться в панель.
В панелях определенной мощности обычно есть два и до трех диодов последовательно, деля панель на две части, чтобы не аннулировать ее полностью и предложить лучшую защиту.
Эти диоды должны всегда использоваться в модулях, соединения ячеек которых находятся последовательно, особенно в напряжениях, равных или превышающих 24 В постоянного тока.
Существует другой тип соединения диодов в фотоэлектрической установке, они называются блокирующими. Они соединяются между панелью и батареей в установке, изолированной от сети, чтобы предотвратить разрядку в них, когда они генерируют меньшее напряжение в пасмурные дни или ночью. Катод или отрицательный диод соединяется с положительным полюсом батареи, а анод или положительный диод соединяется с положительным полюсом панели. Они устанавливаются в регуляторе и обычно приходят с завода.
13.8 Количество ячеек в зависимости от применения
| Применение | Количество последовательных ячеек | Напряжение панели |
|---|---|---|
| Батареи 12В | 30, 33, 36 или 40 | ~18-22В (идеально 40) |
| Батареи 24В | 72 или 80 | ~36-44В |
| Солнечный насос | 60, 72 или 80 | Поликристаллические/тандем |
| Двигатели 220В III | 600 ячеек всего | ~300В |
| Двигатели 380/400В III | 1200 ячеек всего | ~600В |
13.9 Ассоциация панелей
Последовательное соединение: Это соединение положительного полюса одной панели с отрицательным полюсом другой различной панели, таким образом, их напряжения и мощности будут суммироваться на других двух концах, сохраняя ток только одного.
Параллельное соединение: Это соединение отрицательных полюсов всех панелей с одной стороны и соединение положительных полюсов всех панелей с другой, таким образом, их токи и мощности будут суммироваться, сохраняя напряжение только одного.
Этот тип соединений обычно выполняется в водонепроницаемых коробках. В некоторых случаях их можно выполнять в соединительных коробках панели (не рекомендуется). Существуют утвержденные разъемы, где можно соединить две панели параллельно.
Смешанное соединение: Это соединение панелей последовательно и параллельно (ветвь).
13.10 Ориентация и наклон
Ориентация: Азимут - на юг в северном полушарии (α=0º) и на север в южном полушарии.
Наклон: зависит от широты и типа потребления:
- ✓ Постоянное использование: β = Широта + 10º (интересует максимизировать излучение в зимние месяцы или меньшую инсоляцию)
- ✓ Меньшее потребление в месяцы с низким излучением: β = Широта (интересует максимизировать излучение равноденствий)
- ✓ Летнее использование: β = Широта - 10º. Орошение с марта по сентябрь обычно: β = Широта - 20º
В целом наклон должен превышать 15º, чтобы отодвинуть дождь и грязь, но необходимо учитывать другие факторы, такие как стоимость структуры.
13.11 Солнечное излучение
Для измерения солнечного излучения мы используем пиковый солнечный час (HSP), он определяется как время в часах гипотетического постоянного солнечного излучения 1000 Вт/м².
1 HSP = 3.6 МДж/м² = 1 кВт·ч/м²
Согласно использованию:
- Постоянное использование: Неблагоприятный HSP (Дек/Янв)
- Летнее орошение: Средний HSP месяцев орошения
PVGIS: Чтобы сделать это более точно, мы будем использовать PVGIS, получить оптимальный угол наклона, усредняя месяцы орошения, а затем спроектировать систему для HSP наиболее неблагоприятного месяца:
http://re.jrc.ec.europa.eu/pvgis/apps4/pvest.php
13.12 Потери из-за ориентации и наклона
| Тип установки | Ориентация и наклон | Тени | Всего |
|---|---|---|---|
| Общий | 10% | 10% | 15% |
| Перекрытие | 20% | 15% | 30% |
| Архитектурная интеграция | 40% | 20% | 50% |
13.13 Расстояние между рядами
1. Оптимальный наклон:
βopt = 35º - (41º - широта)
2. Высота панели:
h = sen(βopt) × L
Где L = длина панели
3. Общая высота:
hT = h + h'
Где h' = 30 см (минимум до земли)
4. Расстояние между рядами:
d = hT / tang(67º - широта)
13.14 Необходимая поверхность
Ширина опоры:
a = cos(φ) × L
Пространство между рядами:
d = hT / tang(67º - широта)
Общая установленная длина:
LT = (a + d) × Nºr - d
Общая ширина:
aT = (ap + 10) × Nºp/r
Где ap = ширина панели
Общая поверхность:
ST = LT × aT